產(chǎn)品名稱(chēng)：二硅化鈷（CoSi2）
規格：0.8-10um（D50）
形貌：不規則
顏色：黑灰色
特點(diǎn)：電阻率低、良好的熱穩定性
用途：大規模集成電路
中文名稱(chēng)：硅化鈷
化學(xué)式：CoSi2
分子量：115.104
CAS號：12017-12-8
EINECS號：234-616-8
密度：5.3g/cm3
熔點(diǎn)：1277℃
晶格常數：a=0.535nm
晶系：立方系結晶
外觀(guān)：呈灰色的硅化物陶瓷粉末
溶解性：不溶于水
性質(zhì)：低電阻率:在微電子中作為低阻接觸和互連的關(guān)鍵。高溫穩定性與抗氧化性： 作為高溫涂層保護基材的核心能力。與硅工藝兼容性：易于通過(guò)自對準硅化工藝集成到標準硅基集成電路制造中。良好的硅界面特性：形成歐姆接觸或肖特基接觸的能力。潛在的熱電性能：作為環(huán)境友好型熱電材料的候選者。高硬度與耐磨性： 作為耐磨涂層的潛力。
性質(zhì)與穩定性：遵照規格使用和儲存則不會(huì )分解。CoSi2可與熱的鹽酸作用，溶于鹽酸,不溶于硫酸。能被王水、濃硝酸、強堿溶液及熔融的氫氧化堿和碳酸堿所侵蝕?？膳c硫化氫、氟化氫、氯化氫、氟、氯等發(fā)生化學(xué)反應。
合成方法：
按照CoSi2的化學(xué)組成比將鈷粉與硅粉混合均勻，在隔絕空氣的條件下將其熔融，并在1150℃的溫度下保溫100h，使其充分均質(zhì)化，產(chǎn)物為接近單一相的CoSi2。
用途：
1）硅化鈷(CoSi?)是金屬與半導體連接所廣泛所采用的材料，其作為半導體之基電極與金屬導線(xiàn)之間的連接(inter-connect)在器件中工作。
2）接觸與互連材料： 這是硅化鈷最重要和最廣泛的應用領(lǐng)域。CoSi?具有相對較低的電阻率（約 18-25 μΩ·cm），與硅襯底有良好的歐姆接觸特性，并且可以通過(guò)自對準硅化工藝形成。它常被用作MOSFET（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）柵極、源極和漏極的接觸材料，以及局部互連材料，能有效降低接觸電阻和互連電阻，提高器件性能和集成度。
3）高溫抗氧化涂層
硅化鈷（尤其是CoSi?）具有很高的熔點(diǎn)和良好的高溫穩定性。
它在高溫氧化環(huán)境下，表面能形成一層致密、粘附性好的二氧化硅保護膜，有效阻止氧氣向基體內部擴散，從而保護金屬或合金基體（如鈷基高溫合金、鉬、鈮等難熔金屬）免受高溫氧化和腐蝕。這使得它在燃氣輪機葉片、航空發(fā)動(dòng)機部件、高溫爐元件等需要極端環(huán)境防護的應用中具有潛力。
4）熱電材料：
某些硅化鈷化合物（如Higher Manganese Silicides摻雜鈷，或特定的Co-Si相）被研究作為潛在的中溫區熱電材料。熱電材料能將熱（廢熱）直接轉化為電能。硅化鈷體系因其相對較高的熱電優(yōu)值、環(huán)境友好（不含昂貴或有毒元素如Te, Pb）和良好的熱穩定性而受到關(guān)注。
包裝儲存:本品為充惰氣塑料袋包裝，密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中，不宜暴露空氣中，防受潮發(fā)生氧化團聚，影響分散性能和使用效果；包裝數量可以根據客戶(hù)要求提供分裝。
