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單分子層的強光-物質(zhì)耦合:完整激子極化理論

  單分子層的過(guò)渡金屬二硫化物(TMDC)是一類(lèi)具有顯著(zhù)光學(xué)性質(zhì)的二維材料。然而目前尚無(wú)一套完整的理論來(lái)描述廣泛自由電子密度范圍內的極化模式。由德國雷根斯堡大學(xué)的Yaroslav Vladimirovich Zhumagulov教授領(lǐng)導的團隊開(kāi)發(fā)了一種微觀(guān)理論,用以描述在廣泛自由電子密度范圍內,摻雜過(guò)渡金屬二硫化物單分子層中的強光-物質(zhì)耦合。


  該理論涉及一組三體激發(fā)的數值計算,然后以非微擾的方式耦合到空腔共振模。作者利用這種方法計算了極化子光譜,揭示了新出現的光-物質(zhì)復合準粒子的豐富結構。結果證實(shí)了在很大的電子濃度范圍內,帶電激子具有穩健性。在中間摻雜水平上,作者觀(guān)察到激子-極子的三模式結構,其中在極子間隙中間的附加模式定性地改變了反交叉行為。此外,作者預測在大摻雜量的極化樣品中,激發(fā)態(tài)的帶電激子的振子強度變得很重要,并可能驅動(dòng)系統進(jìn)入具有奇異電荷分布的強耦合區。

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